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Micromechanics of MnAs nanocrystals embedded in GaAs

机译：GaAs中嵌入的MnAs纳米晶体的微力学

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The full strain state at room temperature of MnAs nanocrystals embedded in a GaAs matrix (GaAs:MnAs) is obtained through x-ray diffraction mapping of the GaAs:MnAs reciprocal space, including x-ray reflections from the nanosized MnAs crystallites. The constrained MnAs clusters are found to hold remarkably large and anisotropic strain. Based on the room-temperature experimental results, Eshelby's "equivalent-inclusion" concept is used to predict the thermal variation of the cluster lattice parameters in the temperature range from -50 up to 300℃, in particular, across the MnAs magnetostructural phase transition. Strain-driven grain-boundary-mediated rotation and/or (imperfect) oriented attachment of MnAs clusters appear to be operative mechanisms of deformation and particle growth in granular GaAs:MnAs films.
机译：通过GaAs：MnAs倒数空间的x射线衍射图谱（包括来自纳米MnAs晶粒的x射线反射）获得嵌入在GaAs基质（GaAs：MnAs）中的MnAs纳米晶体在室温下的全应变状态。发现受约束的MnAs团簇具有非常大且各向异性的应变。根据室温下的实验结果，埃舍尔比的“等效夹杂物”概念被用于预测在-50至300℃的温度范围内，特别是在MnAs磁结构相变过程中簇晶格参数的热变化。应变驱动的晶界介导的旋转和/或（或不完全）取向的MnAs团簇看来是颗粒状GaAs：MnAs薄膜变形和颗粒生长的有效机制。

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