...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review >Pressure-induced suppression of charge density wave and emergence of superconductivity in 1T-VSe_2
【24h】

Pressure-induced suppression of charge density wave and emergence of superconductivity in 1T-VSe_2

机译：1T-VSe_2的压力诱导的电荷密度波抑制和超导的出现

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We report pressure evolution of charge density wave (CDW) order and the emergence of superconductivity (SC) in 1T-VSe-2 single crystal by studying resistance and magnetoresistance behavior under high pressure. With increasing quasihydrostatic pressure the CDW order enhances with its ordering temperature (～ 100 K at ambient P) increasing marginally up to 5 GPa. At higher pressures, CDW-like resistance anomaly increases more rapidly with the characteristic temperature reaching ～290 K at 14.2 GPa. Upon further increase of pressure, the resistance anomaly due to CDW order gets suppressed drastically with rapidly increased metallicity (as clearly evidenced from the increased RRR value) and superconductivity emerges at ～15 GPa, with the onset critical temperature (T_c) ～4 K. The pressure dependence of T_c is found negligible, different from an increase or a dome-shaped behavior seen in isostructural layered diselenide superconductors. The high-pressure magnetoresistance and Hall measurements suggest successive electronic structural changes with Fermi surface modifications at 5 and ～ 12 GPa.
机译：通过研究高压下的电阻和磁阻行为，我们报道了1T-VSe-2单晶中电荷密度波（CDW）阶的压力演化和超导性（SC）的出现。随着准静水压力的增加，CDW的阶次随其阶次温度（在环境P下约为100 K）而增加，直至5 GPa。在较高的压力下，当温度为14.2 GPa时，类似CDW的电阻异常会更快地增加，其特征温度达到290K。随着压力的进一步增加，由于CDW顺序引起的电阻异常被金属含量迅速增加（从增加的RRR值清楚地证明）而得到了显着抑制，并且超导电性在〜15 GPa出现，且起始临界温度（T_c）〜4K。发现T_c的压力依赖性可忽略不计，这与在等结构层状二硒化物超导体中看到的增大或圆顶形行为不同。高压磁阻和霍尔测量表明，在5 GPa和〜12 GPa时，随着费米表面的变化，电子结构发生了连续变化。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2020年第1期|014514.1-014514.6|共6页
  • 作者

    S. Sahoo; U. Dutta; L. Harnagea; A. K. Sood; S. Karmakar;

  • 作者单位

    HP&SRPD Bhabha Atomic Research Centre Trombay Mumbai 400085 India Departntent of Physical Sciences Homi Bhabha National Institute Anushaktinagar Mumbai 400094 India;

    Department of Physics Indian Institute of Science Education and Research (IISER) Pune 411008 India;

    Department of Physics Indian Institute of Science Bangalore 560012 India;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号