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首页> 外文期刊>Physical review >Evidence for mixed phases and percolation at the metal-insulator transition in two dimensions
【24h】

Evidence for mixed phases and percolation at the metal-insulator transition in two dimensions

机译：混合阶段的证据和在两个维度的金属绝缘体过渡处的渗透

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The in-plane magnetoconductance of the strongly interacting two-dimensional electron system in a silicon MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect transistor) exhibits an unmistakable kink at a well-defined electron density, n(k). The kink at n(k) is near, but not at the critical density n(c) determined from resistivity measurements, and the density at which nk occurs varies with temperature. These features are inconsistent with expectations for a quantum phase transition. We suggest instead that this is a percolation transition and present a detailed model based on the formation of a mixed insulating and metallic phase within which a metal-insulator transition takes place by percolation.
机译：在硅MOSFET（金属氧化物 - 半导体 - 效应晶体管中的强相互作用的二维电子系统的平面内磁导电在明确明确的电子密度N（k）处具有明显的扭结。 N（k）处的扭结近，但不是从电阻率测量确定的临界密度N（c），并且NK发生的密度随温度而变化。这些特征与对量子相转变的期望不一致。我们建议，这是一种渗透转变，并基于形成混合绝缘和金属相的形成，在其中通过渗透发生金属绝缘体转变。

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