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首页> 外文期刊>Physical review >Lifshitz transition and nontrivial H-doping effect in the Cr-based superconductor KCr_3As_3H_x
【24h】

Lifshitz transition and nontrivial H-doping effect in the Cr-based superconductor KCr_3As_3H_x

机译：Lifshitz转换和非竞争H掺杂效应在CR基超导体KCR_3AS_3H_X中

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We report the first-principles study on the H-intercalated Cr-based superconductor KCr3As3Hx. Our results show a paramagnetic ground state for KCr3As3H. The electronic structure consists of two quasi-one-dimensional (Q1D) Fermi surfaces and one three-dimensional Fermi surface which are mainly contributed by Cr-d(z2), d(x2)-(y2), and d(xy) orbitals. The bare electron susceptibility shows a Gamma-centered imaginary peak, indicating possible ferromagnetic spin fluctuations. Upon moderate hole doping, the system undergoes a Lifshitz transition, which may enhance the Q1D feature of the system. The Bader charge analysis and electron localization functions reveal a strong bonding nature of hydrogen in KCr3As3H, which results in a nontrivial electron doping in KCr3As3H.
机译：我们报告了对H层基于CR的超导体KCR3AS3HX的第一原理研究。我们的结果表明了KCR3AS3H的顺磁场态。电子结构由两个准一维（Q1D）FERMI表面和一个主要由CR-D（Z2），D（X2） - （Y2）和D（XY）轨道有源的三维FERMI表面组成。裸电子敏感性显示了符合伽马中心的虚峰，表示可能的铁磁性旋转波动。在适度的孔掺杂时，系统经历LIFSHITZ转换，这可以增强系统的Q1D特征。较糟糕的电荷分析和电子定位功能揭示了KCR3AS3H中氢的强键合性，这导致KCR3AS3H中的非竞争电子掺杂。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2019年第15期|155108.1-155108.6|共6页
  • 作者

    Wu Si-Qi; Cao Chao; Cao Guang-Han;

  • 作者单位

    Zhejiang Univ Dept Phys Hangzhou 310027 Zhejiang Peoples R China;

    Zhejiang Univ Zhejiang Prov Key Lab Quantum Technol & Device Hangzhou 310027 Zhejiang Peoples R China;

    Zhejiang Univ Dept Phys Hangzhou 310027 Zhejiang Peoples R China|Hangzhou Normal Univ Dept Phys Condensed Matter Grp Hangzhou 311121 Zhejiang Peoples R China|Collaborat Innovat Ctr Adv Microstruct Nanjing 210093 Jiangsu Peoples R China;

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