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Tuning topological surface states by cleavage angle in topological crystalline insulators

机译：通过拓扑结晶绝缘体中的裂解角度调整拓扑表面状态

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摘要

The conducting states, recently discovered at the surface of two special class of insulators-topological insulators and topological crystalline insulators-are distinguished by their insensitivity to local and nonmagnetic surface defects at a level of disorder, sufficiently small to be described within the perturbation theory. However, the behavior of the surface states in case of nonlocal macroscopic imperfections is not clear. Here, we propose a systematic study of the topological surface states on vicinal planes (deviations from perfect surface cleavage) in a topological crystalline insulator of the tin telluride family, by using realistic first-principles-derived tight-binding models. The theoretical framework proposed is quite general and easily permits the extensions to other topological insulator families.
机译：最近在两种特殊的绝缘体 - 拓扑绝缘体和拓扑结晶绝缘体的表面上发现的导电状态 - 通过它们对局部和非磁性表面缺陷的不敏感性来区分，在扰动理论中足够小待描述。然而，在非竞争宏观缺陷的情况下，表面状态的行为尚不清楚。在这里，我们提出了通过使用现实的第一原理衍生的紧密结合模型在锡碲化物家族的拓扑晶体绝缘体上的拓扑平面上（从完美表面切割）上的拓扑表面状态的系统研究。所提出的理论框架是非常一般的，很容易允许对其他拓扑绝缘体家庭的扩展。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2019年第11期|115161.1-115161.6|共6页
  • 作者

    Plekhanov Evgeny; Weber Cedric;

  • 作者单位

    Kings Coll London TSCM London WC2R 2LS England;

    Kings Coll London TSCM London WC2R 2LS England;

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