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机译:稀土填充Skutterudites RPT_4GE_(12)中的第一原理研究电子结构和FERMI表面。
Rutgers State Univ Dept Phys & Astron Piscataway NJ 08854 USA|Stefan Cel Mare Univ USV MANSiD Res Ctr Suceava 720229 Romania|Stefan Cel Mare Univ USV Fac Forestry Suceava 720229 Romania;
Carnegie Mellon Univ Dept Phys Pittsburgh PA 15213 USA;
Rutgers State Univ Dept Phys & Astron Piscataway NJ 08854 USA;
Kent State Univ Dept Phys Kent OH 44242 USA;
机译:稀土填充Skutterudites RPT4Ge12中的电子结构和费米表面的第一原理研究
机译:填充方钴矿RPt_4Ge_(12)(R = La,Pr):〜(73)Ge-NQR研究的超导态
机译:不同压力下填充方钴矿LaFe _4Sb _(12)的电子结构和输运性质的第一性原理研究
机译:填充方钴矿CeFe4P12的电子结构和光学性质的研究
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:phosph钌多磷化物EuRu4P12的填充方钴矿结构
机译:稀土填充Skutterudites RPT4Ge12中的电子结构和费米表面的第一原理研究
机译:能带结构,费米面,磁化密度和稀土和act系元素的性质