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首页> 外文期刊>Plasma Science, IEEE Transactions on >Novel Package of SiC-JFET for a Switching Pulse Supply Operating at 1 MHz for an Induction Synchrotron
【24h】

Novel Package of SiC-JFET for a Switching Pulse Supply Operating at 1 MHz for an Induction Synchrotron

机译：用于感应同步加速器的工作于1 MHz的开关脉冲电源的SiC-JFET新型封装

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Silicon carbide (SiC) is one of the most promising materials for next-generation power electronic devices, owing to its superior physical properties. Among existing SiC power devices, the SiC junction field-effect transistor (JFET) (SiC-JFET) has excellent performance. A high-power discrete package of a SiC-JFET was developed with the aim of being applied to the High Energy Accelerator Research Organization (KEK) digital accelerator. The device was assembled on a 58 mm $times$ 36 mm copper base plate and with a height of 7 mm. The size of the die was 4.16 mm $times$ 4.16 mm. The device was tested using a pulse discharge circuit and successfully operated at 1 MHz, 1 kV, and 27 A. The power dissipation and the thermal resistance were estimated at 235 W and 0.56 K/W.
机译：碳化硅（SiC）由于其优越的物理性能而成为下一代电力电子设备中最有前途的材料之一。在现有的SiC功率器件中，SiC结场效应晶体管（JFET）（SiC-JFET）具有出色的性能。开发了一种大功率的SiC-JFET分立封装，旨在将其应用于高能加速器研究组织（KEK）数字加速器。该装置组装在58毫米x 36毫米的铜基板上，高度为7毫米。模具的尺寸为4.16mm×4.16mm。使用脉冲放电电路对该设备进行了测试，并成功地在1 MHz，1 kV和27 A下工作。估计功耗和热阻分别为235 W和0.56 K / W。

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