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【24h】

テンダー領域斜入射小角X線散乱法によるポリスチレン-b-ポリ(2-ビニルピリジン)薄膜の深さ方向の構造観察

机译：嫩区域中掠入射小角X射线散射法在深度方向上观察聚苯乙烯-b-聚（2-乙烯基吡啶）薄膜的结构

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テンダー領域の斜入射小角X線散乱法(GISAXS)を用いることで，ポリスチレン-b-ポリ(2ビニルピリジン)(PS-b-P2VP)薄膜の深さ方向の構造変化について調べた．臨界組成の本試料は，熱力学的に最安定な状態は基板に平行なラメラ構造を形成することが想定される．本研究では，スピンコートにより製膜した試料とガラス転移温度上にアニールした試料をGISAXS測定により，深さ方向における構造を調べた．製膜試料の測定結果では，基板から表面方向に垂直配向していることがわかった．一方で，アニールした試料を測定した結果から，表面の構造は乱れており，基板近傍では垂直配向が残っていることが示唆された．%We report depth-resolved structural measurements in symmetric PS-b-P2VP thin films,using grazing incidence small angle X-ray scattering(GISAXS)in the tender X-ray region.The nanostructures in thin films show cylindrical structures although lamellar structures are expected,thermodynamically,as equilibrium state.It has been reported that,when the thin films are annealed at temperatures greater than the T_g,lamellar structures formed,parallel to the substrate.We prepared as-cast and annealed thin films on silicon substrates.From GISAXS measurements,we concluded that vertical cylindrical nanostructures in as-cast thin films are formed,oriented from surface toward substrate interface.Annealing changed the vertical cylindrical nanostructures at the surface.Even after very long annealing,like 12 hours above T_g,we found that vertical nanostructures still remained at the substrate interface,due to the lower mobility of polymer chains near the substrate interface.
机译：采用掠入射小角X射线散射法（GISAXS）研究了嫩区聚苯乙烯-b-聚（2-乙烯基吡啶）（PS-b-P2VP）薄膜在深度方向上的结构变化。假定具有关键组成的该样品的热力学最稳定状态形成平行于基底的薄片结构。在本研究中，通过GISAXS测量通过旋涂形成的样品以及在玻璃化转变温度下退火的样品，研究了深度方向的结构。根据成膜样品的测量结果，发现膜从基板垂直于表面方向取向。另一方面，退火样品的测量结果表明表面结构无序并且在基板附近保持垂直取向。我们报告了对称PS-b-P2VP薄膜的深度分辨结构测量结果，使用了嫩X射线区域的掠入射小角度X射线散射（GISAXS）。薄膜中的纳米结构显示出圆柱结构，尽管层状结构是据报道，当薄膜在高于T_g的温度下退火时，形成平行于衬底的层状结构。我们在硅衬底上制备了铸态并退火的薄膜。通过GISAXS测量，我们得出结论，铸态薄膜中形成了垂直圆柱形的纳米结构，从表面朝向基板界面取向;退火改变了表面的垂直圆柱形纳米结构，即使经过非常长时间的退火（例如在T_g上方12小时），我们也发现垂直纳米结构仍保留在基材界面处，这是由于聚合物链在基材界面附近的迁移率较低。

著录项

  • 来源
    《高分子論文集》 |2017年第2期|109-113|共5页
  • 作者

    小川　紘樹; 辻岡　宏太; 竹中　幹人; 神谷　和孝; 杉山　武晴; 金谷　利治; 高原　淳;

  • 作者单位

    京都大学化学研究所(〒611-0011京都府宇治市五ヶ庄);

    京都大学化学研究所(〒611-0011京都府宇治市五ヶ庄);

    京都大学大学院工学研究科(〒615-8510京都市西京区京都大学桂);

    九州大学先導物質化学研究所(〒819-0395福岡市西区元岡744);

    九州大学シンクロトロン光利用研究センター(〒816-8580春日市春日公園6丁目1);

    高エネルギー加速器研究機構(〒319-1106茨城県那珂郡東海村大字白方203-1);

    九州大学先導物質化学研究所(〒819-0395福岡市西区元岡744),九州大学シンクロトロン光利用研究センター(〒816-8580春日市春日公園6丁目1);

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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