• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Power Electronics, IET >Switched-diode structure for multilevel converter with reduced number of power electronic devices
【24h】

Switched-diode structure for multilevel converter with reduced number of power electronic devices

机译：功率电子设备数量减少的用于多电平转换器的开关二极管结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

To reduce the number of power electronic devices in multilevel converters, a new switched-diode multilevel converter is proposed in this study. This topology generates a large number of levels with fewer number of insulated gate bipolar transistors (IGBTs), gate driver circuits and power diodes. For recommended multilevel converter, a novel method for determination of dc voltage sources magnitudes is presented. Also, the optimal structures is presented for different aims including less number of IGBTs, gate driver circuits, dc voltage sources and power diodes in order to generating a large number of levels. The proposed structure is compared with other topologies to reflect the merits of the proposed structure. The operation and performance of the proposed topology is verified by experimental and simulation results.
机译：为了减少多电平转换器中的电力电子设备的数量，本研究提出了一种新的开关二极管多电平转换器。这种拓扑结构产生大量的电平，而绝缘栅双极晶体管（IGBT），栅极驱动器电路和功率二极管的数量则更少。对于推荐的多电平转换器，提出了一种确定直流电压源幅度的新颖方法。而且，针对不同目的提出了最佳结构，包括较少数量的IGBT，栅极驱动器电路，直流电压源和功率二极管，以产生大量电平。将提议的结构与其他拓扑进行比较，以反映提议的结构的优点。实验和仿真结果验证了所提出拓扑的操作和性能。

著录项

  • 来源
    《Power Electronics, IET》 |2014年第3期|648-656|共9页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号