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波長走査干渉法と位相シフト法を用いた半導体マスクガラスの光学的厚さ分布の計測

机译:用波长扫描干涉法和相移法测量半导体掩模玻璃的光学厚度分布

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摘要

半導体チップの微細化におよびコストダウンのために,ウェrnーハおよびそのパターンの原版であるフォトマスクは大口径化rnし,細線化してきた.また,マスクガラスに要求される表面平rn坦度や光学的厚さ分布,屈折率の均一牲も巌しくなりつつある.rn更なる信頼性のため,精密測定による評価を行うことが望まれrnる.%The uniformity of the surface flatness, optical thickness distribution, and refractive index have been requested in semi-conductor industry. The absolute optical thickness of a mask-blank glass of seven-inch square and 3.1 mm thickness was measured by three-surface interferometry in a wavelength tuning Fizeau interferometer. Wavelength-tuning interferometry can separate three interference signals of the front surface shape, the rear surface shape and the optical thickness in frequency space. The wavelength of a tunable laser diode source was scanned linearly from 632 nm to 642 nm and a CCD detector recorded two thousand interference images. The number of phase variation of the interference fringes during the wavelength scanning was counted by a temporal discrete Fourier transformation. The initial and final phases of the interferograms before and after the scanning were measured by a phase shifting technique with fine tunings of the wavelengths at 632nm and 642 nm. The optical thickness defined by the group refractive index at the central wavelength of 637 nm can be measured by this technique. Experimental results show that the cross talk in multiple-surface interferometry caused a systematic error of 0.6 microns in the measured optical thickness.
机译:为了使半导体芯片小型化并降低成本,已经使作为晶片及其图案的母版的光掩模的直径更大并且更薄。另外,掩模玻璃所需的表面平整度,光学厚度分布和折射率的均匀度变得陈旧。为了进一步的可靠性,希望通过精密测量进行评估。半导体工业要求表面平整度,光学厚度分布和折射率的均匀性。通过三表面干涉法测量7英寸见方且厚度为3.1 mm的掩模空白玻璃的绝对光学厚度波长调谐干涉仪可以分离频率空间中的前表面形状,后表面形状和光学厚度的三个干涉信号。可调谐激光二极管源的波长在632 nm至642范围内进行线性扫描。 nm和CCD检测器记录了两千张干涉图像。通过时间离散傅立叶变换计算波长扫描过程中干涉条纹的相位变化数,并通过扫描仪测量扫描前后的干涉图的初始和最终相位。相移技术,可以对632nm和642nm的波长进行微调。用这种技术可以测量中心波长为637 nm的基团折射率所定义的ss。实验结果表明,多表面干涉法中的串扰会导致被测光学厚度的系统误差为0.6微米。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2010年第2期|243-248|共6页
  • 作者单位

    東京大学大学院(東京都文京区本郷7-3-1);

    独立行政法人産業技術総合研究所(茨城県つくば市並木1-2-1);

    独立行政法人産業技術総合研究所;

    独立行政法人産業技術総合研究所;

    東京大学大学院;

    東京大学大学院;

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