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【24h】

ダブプリズムを用いた接触画像解析に基づくポリシングパッド表面性状の定量評価手法の開発に関する研究: －ドレッサ粒度がパッド表面性状に及ぼす影響

机译：基于Dove Prism接触图像分析的抛光垫表面纹理定量评估方法的研究：-修整器粒度对抛光垫表面纹理的影响

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摘要

Polishing is generally used in fabricating high-quality silicon wafers. Polishing efficiency and accuracy depend not only on the pad surface texture but also the actual conditions of contact between the wafer and the pad. Furthermore, the pad surface texture is affected by the dressing conditions. Currently, no effective quantitative methods or parameters for pad surface evaluation have been established. In this study, we propose a technique based on contact image analysis using an image rotation prism. We also discuss the effect of dressing conditions on the following parameters: (1) contact ratio, (2) number of contact points, (3) spacing of contact points and (4) spatial FFT results of a contact image. These parameters were found to be effective for evaluating pad surface texture.%半導体デバイスの高性能化に関連した諸要求のレベルが年々高度化する中にあって1）2），現在，デバイスに用いられるシリコンウェーハの高平坦化をもたらす製造工程の一つであるCMP（ChemicalMechanicalPolishing，以下は単にポリシングと称する）は不可避的な技術である．そして近年，安定したポリシングを行うために様々な工夫や取り組みが 行われている3）4）．
机译：抛光通常用于制造高质量的硅晶片，抛光效率和精度不仅取决于焊盘的表面纹理，还取决于晶片与焊盘之间接触的实际条件，不同的是，焊盘表面的纹理会受到修整条件的影响。目前，尚未建立有效的用于评估焊盘表面的定量方法或参数。在这项研究中，我们提出了一种基于图像旋转棱镜的基于接触图像分析的技术。我们还讨论了修整条件对以下参数的影响： 1）接触率，（2）接触点数量，（3）接触点间距和（4）接触图像的空间FFT结果，这些参数被认为对评估焊盘表面纹理有效。随着与性能改善相关的各种要求的水平逐年提高，1）2），CMP（化学机械抛光）是使当前用于装置的硅晶片高度平坦化的制造工艺之一。 （简称为警务）是一种不可避免的技术。近年来，为了实现稳定的抛光3）4），人们进行了各种努力。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2010年第11期|p.1276-1282|共7页
  • 作者

    畝田道雄; 岡部憲嗣; 守屋紀彦; 溢谷和孝; 石川憲;

  • 作者单位

    正会員金沢工業大学（石川郡野々市町扇が丘7-1）;

    学生会点金沢工業大学大学院;

    不二越機械工業株式会社（長野市松代町清野1650）;

    不二越機械工業株式会社（長野市松代町清野1650）;

    正会員金沢工業大学（石川郡野々市町扇が丘7-1）;

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