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高性能，低消費電力を目指すrnCMOSデバイス構造の今後の発展

机译：面向高性能和低功耗的rnCMOS器件结构的未来发展

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摘要

以上述べてきた通り，エレクトロニクス産業の糧であるrn半導体産業にとってCMOS微細化への努力を緩めることrnは許されない．45nm以降の微細化に対し，設計のロードrnマップから導かれるデバイスの性能を達成するために，プrnロセスのばらつきも含んで様々なプロセス?デバイスの物rn理限界を乗り越える必要がある．事業として先端技術を開rn花させるためには，CMOSの極限微細化の追求とデバイrnス?プロセスの簡素化，「ばらつき」の物理理解とプロセrnスの精密制御技術，等の開発を先端開発部門から量産現場rnに至るまで整合性よく，タイムリーに進める必要がある．rn本稿で主に述べたHigh-k／メタルゲート技術も本年から製rn品技術として本格的な量産の実績が積み上がっていくことrnと思われるが，微細化限界の追求の中でさらに精密で高度rnな技術に仕上げてゆく必要がある．
机译：如上所述，作为电子工业的食品的半导体工业不能承受放松其使CMOS小型化的努力。为了实现从设计路线图得出的器件性能（45纳米后实现小型化），有必要克服各种工艺器件的物理限制，包括工艺变化。为了开拓先进的技术业务，我们将追求CMOS的终极小型化，简化设备工艺，加深对“变化”的物理理解以及工艺的精确控制技术。从开发部门到批量生产站点，必须及时进行并保持良好的一致性。本文主要提到的高k /金属栅技术有望从今年起作为一种产品技术而得到切实发展，但为了追求小型化的极限，有必要用精密和先进的技术来完成它。

著录项

  • 来源
    《精密工学会誌》 |2008年第5期|425-430|共6页
  • 作者

    大路　譲;

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  • 正文语种 jpn
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