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パッド表面分析による研磨メカニズムの研究（第1報）: FT-IRおよびラマン散乱分光分析による立ち上げパッド表面状態の解析

机译：通过抛光垫表面分析研究抛光机理（第一份报告）：通过FT-IR和拉曼散射光谱分析启动抛光垫表面状态

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CMP(Chemical Mechanical Polishing）技術は，今や半導体製造プ ロセスには欠かすことのできない重要技術と位置づけられてお り，より量産で安定的に稼動するプロセス安定性が望まれてい る．安定したプロセス性能を得るためには，研磨に影響する要 素技術を定量的に管理することが必要不可欠となる．現在，研 磨に影響する要素技術の中で，最も定量化が進んでいない技術 の一つに，パッドの表面状態がある．%The surface was evaluated qualitatively on a break-in pad in CMP (Chemical Mechanical Polishing). In particular, chemical structure of polyurethane, which is a material of polishing pad, was focused on the evaluation. According to the surface analysis by FT-IR under dry condition, as the pad break-in process was proceeding, soft segments of polyurethane were rich on the pad surface. According to the surface analysis by Raman scattering spectroscopy under wet condition, it was suggested that adsorption water exists on the surface of break-in pad. The permeation depth of the adsorption water was estimated around 10um from pad surface. From the result of the transition process from wet condition to dehydration condition, hard segments of polyurethane segregated on the surface of pad combines with the internal hard segments or adsorption water. As the result, it was speculated that the soft segment was remained on the pad surface.
机译：如今，CMP（化学机械抛光）技术被认为是对于半导体制造工艺必不可少的重要技术，并且期望能够在批量生产中实现稳定操作的工艺稳定性。为了获得稳定的工艺性能，必须定量控制影响抛光的元素技术。在影响抛光的基本技术中，量化程度最低的一种是垫的表面状况。 ％在CMP（化学机械抛光）中的磨合垫上对表面进行定性评估，特别是对作为抛光垫材料的聚氨酯的化学结构进行了评估。干燥条件下的红外图表明，随着垫的破损过程的进行，垫的表面富含聚氨酯的软链段。根据湿润条件下的拉曼散射光谱进行表面分析，表明吸附的水存在于垫的表面。吸附垫的渗透深度估计在垫表面约10um处。从湿态到脱水条件的转变过程的结果是，分离在垫表面的聚氨酯硬链段与内部硬链段结合在一起结果，推测软段保留在垫表面上。

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