...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Process Heating >Silicon Replacement Generates Little Heat
【24h】

Silicon Replacement Generates Little Heat

机译：硅替代物产生的热量很少

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Move over silicon.There's a new electronic material in town that generates little heat, and it goes fast. The material, graphene, which was the focus of the 2010 Nobel Prize in physics, is a fancy name for extremely thin layers of ordinary carbon atoms arranged in a "chicken-wire" lattice.The layers - sometimes just a single atom thick - conduct electricity with virtually no resistance, little heat generation and less power consumption than silicon, say the developers. By heating silicon carbide, a widely used electronic material, Georgia Tech researchers were able to drive silicon atoms from the surface, leaving just the carbon lattice in thin layers of graphene large enough to grow the kinds of electronic devices familiar to a generation of electronics designers.
机译：在硅上移动。镇上有一种新的电子材料，它几乎不产生热量，而且发热量很快。石墨烯材料曾获得2010年诺贝尔物理学奖，它的名字是奇特的名称，它表示将普通碳原子的极薄层排列在“铁丝网”晶格中。这些层（有时只有一个原子厚）具有导电性开发人员说，这种电力实际上几乎没有电阻，几乎没有热量产生，并且功耗也比硅少。通过加热碳化硅（一种广泛使用的电子材料），佐治亚理工学院的研究人员能够从表面驱赶硅原子，仅在石墨烯薄层中留下足够大的碳晶格，足以生长一代电子设计师所熟悉的各种电子设备。 。

著录项

  • 来源
    《Process Heating》 |2011年第3期|p.7-12|共6页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号