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【24h】

疑似エビタキシサル成長基板 異種材料基板上での高品質な単結晶薄膜の成島を苛能に

机译：伪虾滑行生长基质使鸣岛成为另一种材料基质上的高质量单晶薄膜

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高機能な半導体エレクトロニクス素子には単 結晶薄膜が多く用いられます。薄膜は何らかの 基板に支えられることが必要で、その基板の結 晶格子をテンプレートとしていわゆるエピタキ シャル成長をします。必要に応じて薄膜と異な る材料を基板にしますが、その場合には、格子 定数の違いが薄膜結晶に欠陥を招いて品質を悪 くします。この特許の方法では、基板と薄膜と の界面にのみ欠陥を閉じこめて、応力やひずみ のない単結晶薄膜の成長を実現します。
机译：单晶薄膜通常用于高性能半导体电子器件。薄膜需要由某些基板支撑，并且使用该基板的晶格作为模板来执行所谓的外延生长。如果需要，可以使用不同于薄膜的材料作为衬底，但是在这种情况下，晶格常数的差异会导致薄膜晶体的缺陷，从而导致质量下降。该专利的方法仅将缺陷限制在基板和薄膜之间的界面上，并实现了无应力或应变的单晶薄膜的生长。

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