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Institute of Semiconductor Physics of the Ukrainian National Academy of Sciences, 41 Nauki Av., Kiev-03028, Ukraine;
Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Street, 00-908 Warsaw, Poland;
direct; heterodyne; low-temperature; un-cooled; performance limits;
机译:硅外延生长LT-GaAs中的超快载体动力学和THz电导率,用于发射光电导通天线检测器
机译:通过局部化铍掺杂改善基于InGaAs的THz探测器的动态范围:3至3 ZHz最多70 dB
机译:热探测器阵列对轴外塔的比较和实时THz成像
机译:太赫兹/次太赫兹直接探测器面临的挑战:用于有源成像的整流和热探测器
机译:薄膜超导体中的高频电子动力学及其在快速,灵敏的THz检测器中的应用。
机译:用于离轴太赫兹全息和实时太赫兹成像的热探测器阵列的比较
机译:用于离轴太赫兹全息和实时太赫兹成像的热探测器阵列的比较
机译:新型太赫兹频谱仪,集成了广泛可调谐的单色太赫兹光源和探测器,或发射器和探测器阵列,带有光子带隙晶体