机译:沿着CMOS技术的标度趋势研究单事件超敏度的大气宇宙射线的多物理场建模贡献
The French Aerospace Lab, ONERA, Toulouse 31055, France;
Thales Systemes Aeroportes, Pessac 33600, France;
The French Aerospace Lab, ONERA, Toulouse 31055, France,IRSN, Saint Paul-Lez-Durance 13115, France;
Thales Systemes Aeroportes, Pessac 33600, France;
IRSN, Saint Paul-Lez-Durance 13115, France;
机译:用于纳米级CMOS技术的单事件多重容错SRAM单元设计
机译:由于地球宇宙射线中的质子,中子和离子引起的单事件event变的无参数预测模型
机译:商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:在适度的能量宇宙质子撞击中,在3D板上电子设备中核对单一事件的核贡献
机译:批量CMOS中未硬化和硬化触发器的单事件翻转技术缩放趋势
机译:低摆幅驱动器的单事件翻转灵敏度分析
机译:纳米级CMOS技术的单一事件多次易易宽容的SRAM单元设计
机译:计算宇宙射线引发的单事件扰乱:程序CRUp,宇宙射线扰乱程序