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【24h】

韓国• SKハイニックス4D NANDを開発CTFVべース96層512ギビツガト

机译：韩国•SK Hynix 4D NAND开发了CTFV基本96层512 Gibitsugato

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韓国のSKハイニックスが4日、NAND型フラッシュメモリーの新製品として、CTF (チャージトラップフラッシュ)技術をべースとした96層512ギビツガトのTLC (3ビツト/セル)4D NANDを発表した。これにより、業界最高のコスト競争力と性能を提供するとしている。
机译：韩国SK海力士公司于4日宣布了一种新的NAND闪存产品，一种基于CTF（电荷陷阱闪存）技术的96层512千兆字节门TLC（3位/单元）4D NAND。这将提供业界最佳的成本竞争力和性能。

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    《电波新闻》 |2018年第17535期|2-2|共1页
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