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電池不要のエナジーハーべストを実現ルネサスが65nmSOTBIプロセスに混載可能なフフッンユメモリー低消費電力化技術

机译:Renaessas Renatous Renusus低功耗技术与瑞萨处理65个NMSOTBI过程

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摘要

近年、地球温暖化の防止や安心·安全で持続可能な社会を実現するため省エネに貢献可能な技術への期待が高まつている。太陽光や照明光、振動、熱、圧力などのエネルギーを集め、電力として利用するエナジーハーべスト技術も、電池を使用せずに電力を得られる技術として環境負荷低減に貢献。様々な産業分野での利活用が始まつている。ーネサスエレクトロニクスはこのたび、65ナノメートル(nmプロセスSOTB (Silicon On Thin Buried Oxide)プロセスに混載可能なフラッシュメモリーの低消費電力化技術を開発した。この技術は既に、同社のエナジーハーべスト専用組込みコントローラ「R7FOE」に採用されている。フラッシュメモリーにおけるメモリーデータ読み出し時の消費電力を大幅に削減することが可能となり、電池不要のエナジーハーべストの実現に貢献する。
机译:近年来,对能够促进节能的技术的预期,以防止全球变暖,实现安全和可持续的社会。能源中原技术收集诸如阳光,照明光,振动,热,压力等的能量,用作电力,有助于降低环境影响,作为在不使用电池的情况下可以获得电力的技术。在各种工业领域的利用已经开始。 Nesasas Electronics为闪存开发了低功耗技术,可用于闪存,可与65纳米混合(NM Process Sotb(薄层覆盖氧化物)过程。该技术已经致力于该公司的能源Herbost,它是为嵌入式控制器采用的。 R7FoE“。可以在闪存中显着降低存储器数据读取时的功耗,并有助于实现不必要的eNetion Herbest。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2019年第17748期|14-14|共1页
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