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【24h】

NIMSと筑波大高純度シリコンの收率、限界を突破水素ラジカルを大気圧以上で発生させて輸送生成プロセス改善に期待

机译:Nims和Tsukuba大学高纯度硅产率,大腿氢自由基的极限在大气压下产生,预计将改善运输生产过程

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摘要

物質·材料研究機構(NIMS)と筑波大学は、従来25%が限界といわれていた半導体用高純度シリコン(Si)を生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功した。
机译:材料和材料研究组织(NIMS)和Tsukuba大学成功地提高了西门子方法的SI产量,该方法为已有限制限制的半导体产生高纯度硅(Si)。

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    《电波新闻》 |2020年第17972期|6-6|共1页
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