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STが1200V動作の絶縁型グート·ドライバー開発
【24h】
STが1200V動作の絶縁型グート·ドライバー開発
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机译：
ST是1200V控制的隔离吉他司机开发
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STマイクロエレクトロニクス(ST)は、絶縁型ゲート•ドライハー「STGAPファミリー」に新製品であるSTGAP2 SiCSを追加した。同製品は、SiCパワーMOSFETを安全に制御するために最適化され、最大1200Vの高電圧レールで動作する。
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机译：
St Microelectronics（ST）添加了StGAP2 SICS，是绝缘门的新产品•干燥她的“Stgap家族”。该产品经过优化，可安全控制SIC功率MOSFET，并在高达1200V的高压轨处运行。
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著录项
来源
《电波新闻》
|
2021年第18128期
|
15-15
|
共1页
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