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650V GaNパワーデバイスを共同開発製造独インフィニオンとパナソニックが契約

机译:共同开发650V GaN Power Device Corps Infineon和Panasonic合同

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摘要

ドイツのインフィニオンテクノロジーズとパナソニックは、より高い効率と電力密度を実現する実証済みの窒化ガリウム(GaN)技術の第2世代(Gen2)の共同開発製造に関する契約を締結した。これにより、インフィニオンは8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していく。
机译:德国英飞凌科技和松下进入了联合开发制造合同的氮化镓(GaN)技术的第二代(Gen2),实现了更高的效率和功率密度。 因此,英飞凌将策略性地应对8英寸的GaN-on-Si晶片制造能力和GaN电源半导体的需求扩展,这与良好的性能和可靠性相结合。

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    《电波新闻》 |2021年第18255期|4-4|共1页
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