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【24h】

韓国サムスン14ナノDDR5 DRAM量産EUV露光技術を採用

机译：韩国三星14纳米DDR5 DRAM批量生产EUV曝光技术

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【ソウル支局】韓国サムスン電子は12日、EUV(極端紫外線)露光技術を採用した14ナノメートルDDR5 DRA Mの量産を開始したと発表した。人工知能(AI)や5G(第5世代移動通信規格)アプリケーション向けに最適のDR AMとしている。EUV露光は、半導体の超微細化に必須の技術。ロジックデバイスではサムスンとファウンドリー最大手のT SMCが7ナノメートル以降で導入している。サムスンは昨春、業界に先駆けこれをDRAMの生産に適用し、DDR4規格のDDR4 DR AM100万枚を出荷した。
机译：[首尔分公司]韩国三星电子宣布我们已经开始批量生产14纳米DDR5 DRA M采用EUV（极端紫外线）曝光技术。 用于人工智能（AI）和5G（第五代移动通信标准）应用的最佳博士。 EUV暴露是半导体超小型化的基本技术。 在逻辑设备中，三星和铸造厂最大TSMC在7纳米中引入。 三星在去年春天应用于该行业，适用于DRAM生产，并发货了1200万DDR4博士AM DDR4博士。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2021年第18259期|2-2|共1页
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