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厚さ僅か数分子、2次元有要機単結晶ナノシートの大面積成膜に成功東大、産総研、NIMS、JST

机译:仅几分子厚的二维单晶纳米片成功完成大面积成膜的单晶纳米片东京大学,AIST,NIMS,JST

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摘要

東京大学大学院新領域創成科学研究科(産総 研•東大先端オペランド計測技術オープンイノ ベーションラボラトリ客員研究員兼務および物 質•材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス 研究拠点超分子グループ主席招聘研究員)の竹 谷純一教授らは、有機半導体インクを用いた簡 便な印刷手法によって、分子スケールで膜厚が制御された厚さ15nm以下の2次元有機単結晶 ナノシートを10cm角以上の大面積にわたって 作製することに成功した。実用化の指標と,なる 10cm~2/Vsを超える高い電荷移動度を示す有 機電界効果トランジスタの報告が次第に増えて おり、無線タグなどの高速応答が求められる論 理素子への応用が期待されている。しかしなが ら、有機半導体はシリコンなどの無機半導体に 比べ非常に大きな接触抵抗を持っため、短チャ ネルのトランジスタの電荷移動度は単結晶本来 の値よりも大幅に低下し、応答速度が制限され てしまうという問題があった。
机译:东京大学前沿科学研究生院竹谷顺一(AIST•东京大学,开放式创新实验室,开放式创新实验室,访问研究员/物理学•超分子小组高级研究员,国家材料科学研究所国际纳米建筑学研究中心)教授们通过使用有机半导体墨水的简单印刷方法,成功地制造了厚度为15 nm或更小的二维有机单晶纳米片,分子面积上的膜厚在分子尺度上受控于10平方厘米或更大。做到了。显示出超过10 cm至2 / Vs的高电荷迁移率(这是实际使用的指标)的有机场效应晶体管的报告数量正在增加,并且有望将其应用于需要高速响应的逻辑元件(如RFID标签)。已经完成。但是,由于有机半导体的接触电阻比硅等无机半导体的接触电阻高得多,因此短沟道晶体管的电荷迁移率显着低于单晶的原始值,并且响应速度受到限制。存在一个将要完成的问题。

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    《电波新闻》 |2018年第17355期|17-17|共1页
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