宇宙産業初のGaN FET電源ソリューションルネサスが発表

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宇宙産業初のGaN FET電源ソリューションルネサスが発表

机译：瑞萨电子宣布航天行业首个GaN FET电源解决方案

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ルネサスエレクトロニクスはこのほど、宇宙産業初となる耐放射線パッケージの窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)およびローサイドGaN FETドライバーを発表した。

机译：瑞萨电子最近宣布了航天工业中的第一个抗辐射封装，氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和低侧GaN FET驱动器。

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《电波新闻》 |2018年第17355期|4-4|共1页
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