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フィン搆造SG-MONOSフラッシュメモリー大規模動作ルネサスが成功

机译:Fin重新构建SG-MONOS Flash存储器瑞萨电子成功

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摘要

ルネサスエレクトロニクスはこのほど、回路線幅が16/14ナ メー ノトル世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリーの大規模動作に成功した。
机译:瑞萨电子最近成功实现了SG-MONOS闪存的大规模操作,该SG-MONOS闪存用于具有16/14年及以后的电路线宽的微型计算机的鳍式三维晶体管,并具有内置闪存。

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    《电波新闻》 |2017年第17312期|3-3|共1页
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