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【24h】

フィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリーセルを開発

机译:开发鳍结构SG-MONOS闪存单元

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摘要

ADASに代表されるクルマの自動化やIoTを介したスマート社会の進展に伴い、より微細なプロセスを用いた最先端マイコンが求められている。このため40/28ナノメートル(nm)世代よりさらにプロセス世代を先取りした16/14nmのロジックプロセスをベースにした混載フラッシュメモリーの開発が必要となる。16/14nmロジックプロセスでは従来のプレーナ構造のトランジスタでは微細化に限界が出てきたため、新しくフィン構造を導入した立体トランジスタを採用し、性能向上と消費電力の抑制を図ることが標準となっている。
机译:随着以ADAS为代表的汽车的自动化以及通过物联网的智能社会的进步,还需要使用更精细工艺的尖端微型计算机。因此,有必要开发一种基于16 / 14nm逻辑工艺的嵌入式闪存,该工艺要早于40/28纳米(nm)一代。在16 / 14nm逻辑工艺中,常规平面结构晶体管的小型化已达到极限,因此,通常采用具有新鳍结构的三维晶体管来提高性能并抑制功耗。 ..

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  • 来源
    《电波新闻》 |2016年第17063期|10-10|共1页
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