• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>电波新闻 >微細化によるシリコントランジスタの高効率化に成功
【24h】

微細化によるシリコントランジスタの高効率化に成功

机译：通过小型化成功提高了硅晶体管的效率

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所の筒井一生教授らは、シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)をスケーリング(微細化)することで、コレクタ-エミッタ間飽和電圧(Vce(sat))を従来の約70%に、オン抵抗を約50%に低減することに成功した。スケーリングには素子寸法の「3次元的微細化」という新スキームを用いた。性能向上はオン動作時の単位面積あたりの電流密度を高めることで実現。現在、主流のシリコン(Si)-IGBTのスケーリングによる性能向上が確認でき、市場のさらなる拡大とともに、電力制御システムの高効率•低価格化につながる技術として、省エネルギー社会への貢献が期待される。
机译：东京工业大学科学技术研究院高级工业科学技术研究院的Tsusui Tsusui教授等人提出了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的按比例缩小（微型化），以通过硅进行功率控制，以实现集电极和发射极之间的饱和电压。我们成功地将（Vce（sat））降低到大约70％，并将导通电阻降低到大约50％。一种称为设备尺寸的“三维微型化”的新方案用于缩放。通过提高ON操作期间每单位面积的电流密度来实现性能改善。可以肯定的是，主流硅（Si）-IGBT的性能已通过缩放得到改善，并且随着市场的进一步扩大，有望作为一种导致功率控制系统更高效率和更低价格的技术为节能社会做出贡献。

著录项

  • 来源
    《电波新闻》 |2016年第17063期|12-12|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号