半導体デバイス改障モードの歴史的変遷

塩野　登

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半導体デバイス改障モードの歴史的変遷

机译：半导体器件故障模式的历史变化

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日本では、2007年はトランジスタ発明（1947年12月米国Bell研究所で、バーディン（J.Bardeen）、ブラッテン（W.Brattain）により発明）より60年目に当たるとして話題になりました。一方、米国では、酸化膜をマスクとした不純物拡散技術が開発されから 50 年目にあたるとして注目されました。

机译：在日本，自晶体管发明（由美国贝尔实验室的J. Bardeen和W. Brattain于1947年12月发明）以来的第60个年头，到2007年已是第60个年头。另一方面，在美国，自从使用氧化膜作为掩模的杂质扩散技术的发展以来，已经关注了50年。

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来源
《RCJ会报》 |2008年第1期|p.2-13|共12页
作者
塩野　登;
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作者单位

日本電子部品信頼性センター;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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