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CMOS LSIの微細化トレンドと信頼性課題

机译：CMOS LSI小型化趋势和可靠性问题

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摘要

信頼性要求事項を満たすための最適な方法は、新技術開発と同時に信頼性も作り込むことである。しかし、この信頼性作り込みには、あらかじめ各種故障メカニズムの理解と信頼性TCADツールなどが開発されていることが必要である。従来は、ある程度の時間的余裕があり、新素材の導入が少なく、信頼性も従来技術の延長で取り扱うことができ、これが可能であった。しかし、近年の次世代デバイス開発には、high-κゲート絶縁膜やlow-κ層間絶縁膜などの新素材の導入が必須となり、新しい故障メカニズムの発生も予測され、これらの把握に時間が必要であり、新技術開発と同時の信頼性作り込みの困難性が予想される。そのためにも、選択技術の的確性、故障モード／故障メカニズム把握の迅速性など、信頼性リソースの投入が必要になると思われる。
机译：满足可靠性要求的最佳方法是在开发新技术的同时建立可靠性。但是，为了建立这种可靠性，必须事先了解各种故障机制并开发可靠的TCAD工具。在过去，有一定的空闲时间，新材料的引入很少，可靠性可以作为对传统技术的扩展来处理，这是可能的。但是，近年来，高介电常数栅极绝缘膜和低介电常数层间绝缘膜等新材料的引入对于下一代器件的开发至关重要，并且预计会出现新的失效机制，并且需要花费一些时间来理解它们。因此，期望在新技术开发的同时难以建立可靠性。出于此目的，似乎也有必要投资可靠性资源，例如选择技术的准确性和掌握故障模式/故障机制的速度。

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