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【24h】

FT-IR and XPS analysis of a-Si_(1-x)Ge_x:H thin films

机译：a-Si_（1-x）Ge_x：H薄膜的FT-IR和XPS分析

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Silicon-Germanium alloys have been prepared in an evacuated fused silica tube, and by thermal evaporation amorphous Si_(1-x)Ge_x:H thin films were deposited at different preparation conditions such as deposition temperature (T_d), dopant concentration of aluminum (Al) and arsenic (As) and Ge content (x). Fourior transform infrared (FT-IR) investigations showed the existence of all the expected stretching and bending modes of (Si-H)_n and (Ge-H)_n. The X-ray photoemission spectroscopy (XPS) exhibited the existence of oxygen:carbon and hydrogen atoms on the Si-Ge surface which led to a shift in Si-2p and Ge-3p core level for pure and doped a-Si_(1-x)Ge_x:H thin films with aluminum and arsenic.
机译：已在真空石英管中制备了硅锗合金，并通过热蒸发在不同的制备条件下沉积了非晶Si_（1-x）Ge_x：H薄膜，例如沉积温度（T_d），铝的掺杂剂浓度（Al ），砷（As）和锗含量（x）。傅里叶变换红外（FT-IR）研究表明（Si-H）_n和（Ge-H）_n所有预期的拉伸和弯曲模式均存在。 X射线光电子能谱（XPS）显示在Si-Ge表面上存在氧：碳和氢原子，这导致纯净和掺杂的a-Si_（1- x）Ge_x：H铝和砷薄膜。

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