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Practical guide for validated memristance measurements

机译：经验证的忆阻测量实用指南

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Chua [IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507–519 (1971)] predicted rather simple charge-flux curves for active and passive memristors (short for memory resistors) and presented active memristor circuit realizations already in the 1970 s. The first passive memristor has been presented in 2008 [D. B. Strukov, G. S. Snider, and D. R. Williams, Nature (London) 453, 80–83 (2008)]. Typically, memristors are traced in complicated hysteretic current-voltage curves. Therefore, the true essence of many new memristive devices has not been discovered so far. Here, we give a practical guide on how to use normalized charge-flux curves for the prediction of hysteretic current-voltage characteristics of memristors. In the case of memristive BiFeO3 thin film capacitor structures, the normalized charge-flux curves superimpose for different numbers of measurement points Ns and a different measurement time per measurement point Ts. Such normalized charge-flux curves can be used for the prediction of current-voltage characteristics for input signals with arbitrarily chosen Ns and Ts.
机译：蔡[IEEE Trans。 [Circuit Theory 18，507–519（1971）]预测了有源和无源忆阻器的相当简单的电荷通量曲线（记忆电阻的缩写），并介绍了1970年代的有源忆阻器电路实现。第一个无源忆阻器已于2008年推出[D. B. Strukov，G。S. Snider和D. R. Williams，《自然》（伦敦）453，80-83（2008年）]。通常，忆阻器跟踪复杂的磁滞电流-电压曲线。因此，迄今为止尚未发现许多新的忆阻器件的真正实质。在这里，我们为如何使用归一化电荷通量曲线预测忆阻器的滞回电流-电压特性提供了实用指南。在忆阻性BiFeO 3 薄膜电容器结构的情况下，归一化的电荷通量曲线针对不同数量的测量点N s 和每个测量点T的不同测量时间进行叠加 s 。这样的归一化电荷通量曲线可用于预测任意选择N s 和T s 的输入信号的电流-电压特性。

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