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机译：瞬态光电导仪

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A description is given of a versatile light source and detection electronics for observation of transient photoconductivity in polycrystalline silicon. The source generates variable optical pulse width and amplitude with penetrating 1.06 μm radiation; the detection electronics allows the observation of low level photocurrents with decay times varying over three orders of magnitude, from 1 μs to 1ms.

机译：给出了用于观察多晶硅中瞬态光电导性的通用光源和检测电子设备的描述。该源产生可穿透1.06μm辐射的可变光脉冲宽度和幅度；检测电子设备可以观察到低电平时间的光电流，其衰减时间在1 µs至1ms的三个数量级之间变化。

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《Review of Scientific Instruments》 |1980年第10期|P.1418-1420|共3页
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