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Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K

机译：光电E / U转换器工作在77K

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W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetleniaapięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.%The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
机译：本文介绍了BPW34S光电二极管在77 K至300 K范围内的温度下的性能测试结果。介绍了BiFET运算放大器在低温下所选参数的变化。提出了使用BiFET技术制造的BPW34S光电二极管和TL081放大器，在77 K至300 K的温度范围内工作的低温E / U转换器（照明强度/电压）的解决方案。将低温E / U转换器的温度测试结果与集成式OPT101光电传感器在77 K至300 K的温度下的运行研究结果进行了比较。显示了能够在77 K下运行的已构造E / U转换器的工作。％本文介绍了性能结果BPW34S光电二极管在77 K至300 K的温度范围内的测试（图2）。还给出了BiFET运算放大器的测试结果：在77 K至300 K的温度范围内TL081的开环增益和增益带宽（图4）。引入了在上述温度范围内运行的低温光电压转换器。 （图5）。在低温光电压转换器中，使用了BPW34S光电二极管和TL081 BiFET运算放大器。框图（图7）和照片（图9）中显示了用于测试低温下电子元件电参数特性的支架。事实证明，低温光电压转换器可以在77 K至300 K的温度范围内工作，相对误差小于6％（表1）（图8）。最后，将设计的转换器的低温测试结果与光电传感器OPT101的测试结果进行了比较（图10、11）。还提供了经过测试的光传感器的光谱灵敏度（图12）。提出的解决方案可用于工作温度为77 K（例如，高温超导设备。

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