...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Pomiary Automatyka Kontrola >Imitatory rezystancji izolacji elektrycznej
【24h】

Imitatory rezystancji izolacji elektrycznej

机译：绝缘电阻的模仿者

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

W pracy przedstawiono ideę budowy wybranych rozwiązań imitatorów rezystancji izolacji elektrycznej, mających zastosowanie do wzorcowania megaomomierzy metodą pośrednią z wykorzystaniem elementów pasywnych i aktywnych. Przedstawiono także podstawowe zależności teoretyczne dla uogólnionego modelu imitatora oraz przedstawiono przykładową realizację imitatora pozwalającego na płynną nastawę imitowanej rezystancji. Ponadto określono błędy d(R_M) i δ(I_M) odtwarzania wartości rezystancji Rhi-lo, związane z wpływem rezystancji RM oraz błędów addytyw-nych ± a i multiplikatywnych ± β w procesie przetwarzania prądu I_M dla obwodu (LO-GND) megaomomierza.%In the paper the idea of chosen solutions of electrical insulation resistance substituters, having application for indirect method of megaohmmeters calibration with use of an active and passive elements, was presented. The simplicity (see Fig. 1) is the advantage of the presented idea of resistance substitution, the fault however - the necessity of fulfillment the relation E -e_A ＞ 0, at which the value of substituted resistance R_(HI-LO) achieves only positive values. For generalized electrical insulation resistance substituters according to Fig.2, the substituted resistance R_(HI-LO) is defined by Eqs. (4), and fulfillment the relation R_(HI-LO) → ∞ is presented by Eq. (5). Chosen Eq. (4) variants (A-E) are contained in Tab. 1. An example of electrical insulation resistance substituters realization [3] using optoisolated U/U converter is presented in Fig.3. It becomes noticeable that the substituted resistance R_(HI-LO) enables practically linear realization of setting resistance value R2 (see Fig. 4). The errors δ(R_M) and δ(I_M) of substituted resistance value R_(HI-LO), connected with influence of resistance R_M as well as the additive error ± α and multiplicative ± β error of current I_M conversion in megaohmmeters circuit (LO-GND) were qualified too.
机译：本文提出了构建电绝缘电阻模拟器的选定解决方案的想法，该解决方案用于使用无源和有源元件的间接方法来校准兆欧表。还介绍了模仿器的广义模型的基本理论关系，并给出了用于平滑调整模仿电阻的模仿器实现的示例。另外，确定了恢复Rhi-lo电阻值的误差d（R_M）和δ（I_M），这与RM电阻的影响以及在处理兆欧表电路（LO-GND）的电流I_M的过程中附加误差±a和乘以±β有关。％In提出了电绝缘电阻替代品选择解决方案的思想，该方法适用于使用有源和无源元件的兆欧表间接校准方法。简单性（参见图1）是提出的电阻替换思想的优点，但是缺点是-必须满足关系E -e_A＞ 0，在这种情况下，替换电阻R_（HI-LO）的值只能达到正值。对于根据图2的通用电气绝缘电阻替代品，替代电阻R_（HI-LO）由方程式定义。 （4），并满足关系R_（HI-LO）→∞由等式表示。 （5）。选择式（4）变体（A-E）包含在表1中。图3给出了使用光隔离U / U转换器实现电绝缘电阻替代器的示例[3]。值得注意的是，取代的电阻R_（HI-LO）使得设置电阻值R2（见图4）实际上可以线性实现。替代电阻值R_（HI-LO）的误差δ（R_M）和δ（I_M）与电阻R_M的影响以及兆欧表电路（LO）中电流I_M转换的加法误差±α和乘数±β误差有关-GND）也合格。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号