...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Pomiary Automatyka Kontrola >Aktywny imitator rezystancji do wzorcowania megaomomierzy
【24h】

Aktywny imitator rezystancji do wzorcowania megaomomierzy

机译：有源电阻模仿器，用于兆欧表校准

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

W pracy zaprezentowano opis realizacji idei imitacji [1] średnich (0÷20 MΩ) i dużych rezystancji (0÷2000 MΩ), mającej zastosowanie do wzorcowania megaomomierzy metodą pośrednią z wykorzystaniem aktywnego konwertera U/U z optoizolacją. Zasada imitacji dużych wartości rezystancji z wykorzystaniem elementu aktywnego w postaci wzorcowego źródło napięcia stałego (np. kalibratora) o wartości e) została przedstawiona na rys. 1. Zaletą prezentowanej koncepcji imitacji rezystancji jest prostota, wadą natomiast - konieczność spełnienia relacji E_W-e>0, gdyż w przeciwnym wypadku, wartość imitowanej rezystancji R_(HI-LO) osiąga wartości ujemne. Wady takiej nie posiadają analizowane w dalszym ciągu w pracy warianty A i B aktywnych imitatorów rezystancji zamieszczone na rys. 2 i opisane zależnościami (3a) - (3b). Z wzorów (3a) - (3b) wynikają dwa sposoby realizacji liniowej nastawy wartości rezystancji R_(HI-LO), tj. za pomocą zmian rezystancji 0≤R_(NB)≤∞ lub współczynnika wzmocnienia 0≤k≤∞ konwertera U/U. Z punktu widzenia możliwości osiągnięcia dużych wartości imitowanych rezystancji R_(HI-LO) korzystniejszym pod tym względem jest wariant B układu imitatora (zwłaszcza przy spełnionej relacji: R_(NC)R_(NA))- Wymaga on jednak odpowiedniego doboru wartości stosunku rezystancji R_(NA)/R_(NC), determinującego w istotnym stopniu bezwzględną niepewność standardową u(R_(HI-LO)) daną wzorem (4b). Na rys. 3 zamieszczono przebiegi charakterystyk postaci R_(HI-LO)=f(R_(NB)) dla obydwu analizowanych wariantów A i B imitatorów rezystancji uzyskanych na drodze pomiarowej i teoretycznej (według wzorów (3a)-(3b)), przy zmianach wartości rezystancji 0≤R_(NB)≤90 kΩ co 10 kΩ. Zastosowanie konwerterów U/U z optoizolacją o wzmocnieniu k potwierdziło teoretyczną możliwość uzyskania liniowej nastawy imitowanej rezystancji R_(HI-LO) (względem rezystancji R_(NB) lub współczynnika wzmocnienia k).
机译：本文介绍了对模拟[1]中（0÷20MΩ）和高电阻（0÷2000MΩ）的想法的实现的描述，该想法用于通过具有光隔离的有源U / U转换器的间接方法来校准兆欧表。使用具有值e）的标准直流电压源（例如校准器）形式的有源元件来模仿大电阻值的原理如图1所示。所提出的模仿电阻概念的优点是简单，而缺点-需要满足关系E_W-e> 0 ，否则模拟电阻R_（HI-LO）的值达到负值。在本文分析的，如图2所示并由关系式（3a）-（3b）描述的有源电阻模拟器的A和B变体中，没有这个缺点。从公式（3a）-（3b），可以得出两种实现电阻值R_（HI-LO）线性设置的方法，即通过更改U / U转换器的电阻0≤R_（NB）≤∞或增益系数0≤k≤∞ 。从实现大的模拟电阻R_（HI-LO）值的角度来看，仿制系统的B选项在这方面更有利（特别是如果满足关系R_（NC） R_（NA）-但是，需要适当选择电阻比的值R_（NA）/ R_（NC），通过公式（4b）在很大程度上确定了绝对标准不确定度u（R_（HI-LO））。图3给出了通过测量和理论计算（根据公式（3a）-（3b））获得的电阻仿真器的分析变体A和B的形式R_（HI-LO）= f（R_（NB））的特性，其中每10kΩ电阻值0≤R_（NB）≤90kΩ的变化。带有k放大光隔离的U / U转换器的使用证实了获得模拟电阻R_（HI-LO）（相对于电阻R_（NB）或增益系数k）的线性设置的理论可能性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号