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首页> 外文期刊>Science and Technology of Advanced Materials >Electric-field effects on intersubband Raman laser gain in modulation-doped GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells
【24h】

Electric-field effects on intersubband Raman laser gain in modulation-doped GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells

机译：电场对调制掺杂GaAs / AlGaAs耦合双量子阱中子带间拉曼激光增益的影响

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We study numerically the electric-field effects on optically pumped mid-infrared intersubband Raman lasers (IRL) consisting of modulation-doped GaAs/AlGaAs asymmetric coupled double quantum wells. The collective plasmon nature of intersubband excitations is important to analyze the characteristics of IRL gain. The lasing wavelength is changed from 15.0 to 12.5 μm by increasing applied bias from -40 to 10 kV/cm for pumping wavelength 9.56 μm with intensity 250 kW/cm~2 if the maximum gain at threshold (G_(R_(th))~(max) = α/Γ_(opt)) was assumed to be 100 cm~(-1), α and Γ_(opt) being total radiation loss and optical confinement factor, respectively.
机译：我们从数值上研究了由调制掺杂的GaAs / AlGaAs不对称耦合双量子阱组成的光泵浦中红外子带间拉曼激光器（IRL）的电场效应。子带间激发的集体等离激元性质对于分析IRL增益的特性很重要。如果最大增益达到阈值（G_（R_（th））〜假设（max）=α/Γ_（opt））为100 cm〜（-1），其中α和Γ_（opt）分别为总辐射损耗和光学限制因子。

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