机译:一维电子在Ge / Si(001)表面的二聚体行段中的约束
Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuda, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
Ge/Si; surface; scanning tunneling microscope; one-dimensional electronic states; quantum well;
机译:一维电子在Ge / Si(001)表面的二聚体行段中的约束
机译:Nh_3在Si(001)上的共吸附模式:评述“在Si(001)表面的Si二聚体行上被吸附的Nh_3分子的排列”
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机译:AB-Initio在凝胶(001) - (2×1)表面上的HOMO和杂铂二聚体结构和电子性质的研究
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机译:5 nm以下石墨烯纳米皱纹的结构驱动一维电子约束
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