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【24h】

ついに45nmプロセス時代に突入ArF露光装置が確実に市場へ浸透32nm以降の本命はEUV技術

机译:终于进入了45nm制程的时代ArF曝光设备肯定已经打入市场EUV技术是32nm之后的最爱

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摘要

07年から本格的に45nmプロセスを採用したデバイスの量産に向けた取り組みが始まった。中でも,露光技術は半導体製造プロセスの心臓部分を担っており,今後の微細化を決定づける重要な役割を果たしている。露光装置メーカーは,液浸の高NA化やダブルパターニングなどによってArF露光技術の延命を図っているものの,純水やレンズの屈折率の面で限界が目前に迫っている。また,32nmプロセス以降の本命として有力視されているEUV技術も,インフラの整備はまだ整ってはいない。これからは,32nmデバイスの取り組みが始まる10年に向けてデバイス・装置・材料メーカーともに,さらなる開発力や様々な選択が求められる。本稿では,転換期を迎えている露光市場の動向などを報告する。
机译:在2007年,认真开始了使用45纳米工艺大规模生产设备的工作。最重要的是,曝光技术在半导体制造过程中起着核心作用,并且在确定未来的小型化方面起着重要作用。尽管曝光设备制造商试图通过增加浸没和双重图案的NA来延长ArF曝光技术的寿命,但是就纯水和透镜的折射率而言,极限正在逼近。此外,EUV技术在32 nm工艺之后被认为是最受欢迎的技术,但尚未准备好用于基础设施。从现在起,在朝着32nm器件努力的十年开始之际,器件,设备和材料制造商将需要进一步的开发能力和各种选择。在本文中,我们将报告风险市场的趋势,该趋势正在接近转折点。

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