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【24h】

SiC拡大に向けて開発強化自動車向けなど生産能力増強

机译:加大开发力度,扩大碳化硅产能,提高汽车产能

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摘要

パワー半導体大手の富士電機㈱(東京都品川区大崎1-11-2)がSiCの売り上げ拡大に向けた開発強化を打ち出した。2020年までの急速立ち上げを予測し、世界最高性能を狙ろトレンチMOSFET技術開発を加速する。また、電子デバイス事業分野の営業利益率を7.4%まで引き上げる計画を推進しており、17年度の設備投資は前年度比33億円増の122億円投入を計画している。電子デバイス事業本部を引っ張る事業統括部長の宝泉徹執行役員に話を伺った。
机译:大型功率半导体公司(东京都品川区大崎1-11-2)富士电气有限公司已加大开发力度以扩大SiC的销售。预测到2020年将快速启动,并加速实现世界上最高性能的沟槽MOSFET技术的发展。此外,我们正在推进将电子设备业务领域的营业利润率提高至7.4%的计划,并计划在2017财年投资122亿日元,比去年增加33亿日元。我们采访了领导电子设备业务组的业务管理部执行官兼总经理Toru Hoizumi。

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    《半導体産業新聞》 |2017年第2265期|3-3|共1页
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