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Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect

机译：基于载流子复合-偏转效应的磁晶体管

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This paper presents the three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination-deflection effect. Three-terminal magnetotransistor can detect vertical and lateral magnetic field direction. The structure of magnetotransistor consists of one emitter, one collector and one base contact. The devices can detect magnetic field by relying on the difference between base current and collector current (¿ICB). The result from experiments closely matched the simulated 3-D modeling with base width of 20 ¿m at substrate thickness of 600 ¿m . From the experiment, the magnetotransistor had the highest sensitivity of 10.25%/T when emitter current was at 10 mA. This research on the three-terminal magnetotransistor can achieve magnetic sensors with small size, high performance and wide range of applications.
机译：本文提出了一种基于载流子复合偏转效应的三端磁控晶体管。三端磁晶体管可检测垂直和横向磁场方向。磁晶体管的结构由一个发射极，一个集电极和一个基极触点组成。该设备可以依靠基极电流和集电极电流（ICB）之间的差异来检测磁场。从实验的结果紧密匹配模拟的3-D建模与20微米的基础宽度在600微米的基板厚度。根据实验，当发射极电流为10 mA时，磁晶体管的最高灵敏度为10.25％/ T。对三端磁控晶体管的研究可以实现体积小，性能高，应用范围广的磁传感器。

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