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An approximation to the factor K in the Toh-Ko-Meyer MOS engineering model

机译:Toh-Ko-Meyer MOS工程模型中因子K的近似值

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摘要

An approximate expression for the factor K used in the Toh-Ko-Meyer MOS engineering model is derived. The approximate expression presented allows one to compute directly the saturation current and the saturation voltage with given device dimensions and biasing voltages without the need for iteration.
机译:推导了Toh-Ko-Meyer MOS工程模型中使用的因子K的近似表达式。给出的近似表达式使人们可以直接计算具有给定器件尺寸和偏置电压的饱和电流和饱和电压,而无需进行迭代。

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