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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 50 GHz broad-band monolithic GaAs/AlAs resonant tunneling diode trigger circuit
【24h】

A 50 GHz broad-band monolithic GaAs/AlAs resonant tunneling diode trigger circuit

机译：50 GHz宽带单片GaAs / AlAs谐振隧道二极管触发电路

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This paper describes the design, circuit simulation, fabrication and testing of a 50 GHz trigger circuit using GaAs/AlAs resonant tunneling diodes. A new trigger circuit was designed to eliminate the 180/spl deg/ phase splitter used in a previous complementary input trigger circuit. Our monolithic approach, integrated GaAs/AlAs resonant tunneling diodes (in a back-to-back configuration) and a 50 /spl Omega/ coplanar waveguide, minimized the parasitic circuit elements and internal reflections from the package thus achieving high frequency operation. The circuit was able to trigger on input sinusoidal waves of input powers of -3 dBm up to 50 GHz with time jitter of less than 1 ps rms over the entire measured frequency range from 5 to 50 GHz. The upper limit of 50 GHz was imposed by our measurement system.
机译：本文介绍了使用GaAs / AlAs共振隧穿二极管的50 GHz触发电路的设计，电路仿真，制造和测试。设计了一种新的触发电路，以消除以前的互补输入触发电路中使用的180 / spl度/分相器。我们的单片方法，集成式GaAs / AlAs谐振隧穿二极管（背对背配置）和50个/ spl的Omega /共面波导，使封装中的寄生电路元件和内部反射最小化，从而实现了高频工作。该电路能够在高达5 GHz的整个测量频率范围内，在高达50 GHz的频率下，以-3 dBm的输入功率输入正弦波触发，时间抖动小于1 ps rms。 50 GHz的上限是由我们的测量系统决定的。

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