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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Analysis of the switching speed of BiCMOS buffer under high current
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Analysis of the switching speed of BiCMOS buffer under high current

机译：大电流条件下BiCMOS缓冲器的开关速度分析

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A nonlinear analytical transient response model that is suitable for BiCMOS driver circuits operating under the Kirk and Van der Ziel effect is presented. The model accounts for both base vertical push-out and lateral stretching phenomena where the forward transit time /spl tau//sub f/ has a square law dependence on the collector current. Based on the new transient model, a closed-form BiCMOS delay expression is derived that shows excellent agreement with measured gate delay from a 0.8-/spl mu/m BiCMOS technology. The comparison is made for a wide range of circuit parameters. The delay model can be used to develop timing analyzers, timing simulators, and circuit optimization tools for ULSI circuit design. As an application of the delay model, a circuit design algorithm is derived to optimize the speed-area performance of the BiCMOS buffers.
机译：提出了一种适用于在Kirk和Van der Ziel效应下工作的BiCMOS驱动器电路的非线性分析瞬态响应模型。该模型考虑了基本的垂直推出现象和横向拉伸现象，其中正向渡越时间/ splau // subf /对集电极电流具有平方律依赖性。基于新的瞬态模型，得出了一个封闭形式的BiCMOS延迟表达式，该表达式与0.8- / spl mu / m BiCMOS技术的实测栅极延迟表现出极好的一致性。比较是针对广泛的电路参数。延迟模型可用于开发用于ULSI电路设计的时序分析器，时序模拟器和电路优化工具。作为延迟模型的一种应用，推导了一种电路设计算法来优化BiCMOS缓冲器的速度区域性能。

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