...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >10 Gb/s silicon bipolar 8:1 multiplexer and 1:8 demultiplexer
【24h】

10 Gb/s silicon bipolar 8:1 multiplexer and 1:8 demultiplexer

机译：10 Gb / s硅双极8：1多路复用器和1：8解复用器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

High-speed multiplexer and demultiplexer circuits are key components in high-speed optical communication systems such as SONET. As optical communication link speeds increase, faster electronic interface circuitry is required. The use of multiplexer circuits allows most of the electronic circuitry to operate on parallel data at a lower speed, reducing the speed requirements of much of the system. A retimed 8:1 multiplexer and a 1:8 demultiplexer which operate at 10 Gb/s are described. These circuits were fabricated in high-speed silicon bipolar process. Design optimization techniques were used to achieve maximum performance. The retimed multiplexer and the demultiplexer dissipate 3.8 and 4.3 W, respectively.
机译：高速复用器和解复用器电路是诸如SONET之类的高速光通信系统中的关键组件。随着光通信链路速度的提高，需要更快的电子接口电路。多路复用器电路的使用允许大多数电子电路以较低的速度对并行数据进行操作，从而降低了许多系统的速度要求。描述了以10 Gb / s工作的重定时8：1多路复用器和1：8解复用器。这些电路是用高速硅双极工艺制造的。设计优化技术用于获得最佳性能。重新定时的复用器和解复用器分别耗散3.8 W和4.3 W的功率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号