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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 7-ns 140-mW 1-Mb CMOS SRAM with current sense amplifier
【24h】

A 7-ns 140-mW 1-Mb CMOS SRAM with current sense amplifier

机译：具有电流检测放大器的7ns 140mW 1Mb CMOS SRAM

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A 7-ns 140-mW 1-Mb CMOS SRAM was developed to provide fast access and low power dissipation by using high-speed circuits for a 3-V power supply: a current-sense amplifier and pre-output buffer. The current-sense amplifier shows three times the gain of a conventional voltage-sense amplifier and saves 60% of power dissipation while maintaining a very short sensing delay. The pre-output buffer reduces output delays by 0.5 ns to 0.75 ns. The 6.6- mu m/sup 2/ high-density memory cell uses a parallel transistor layout and phase-shifting photolithography. The critical charge that brings about soft error in a memory cell can be drastically increased by adjusting the resistances of poly-PMOS gate electrodes. This can be done without increasing process complexity or memory cell area. The 1-Mb SRAM was fabricated using 0.3- mu m CMOS quadrupole-poly and double-metal technology. The chip measures 3.96 mm*7.4 mm (29 mm/sup 2/).
机译：开发了7ns 140mW 1-Mb CMOS SRAM，以通过为3V电源使用高速电路（电流检测放大器和预输出缓冲器）提供快速访问和低功耗。电流检测放大器的增益是传统电压检测放大器的三倍，并节省了60％的功耗，同时保持了非常短的感测延迟。预输出缓冲器将输出延迟减少0.5 ns至0.75 ns。 6.6μm/ sup 2 /高密度存储单元使用并行晶体管布局和相移光刻。通过调节poly-PMOS栅电极的电阻，可以大大增加在存储单元中引起软错误的临界电荷。这可以在不增加工艺复杂度或存储器单元面积的情况下完成。 1-Mb SRAM是使用0.3μmCMOS四极多晶硅和双金属技术制造的。芯片尺寸为3.96毫米* 7.4毫米（29毫米/ sup 2 /）。

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