An 8-b ADC with over-Nyquist input at 300-Ms/s conversion rate

Nejime Y.; Hotta M.

首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >An 8-b ADC with over-Nyquist input at 300-Ms/s conversion rate

【24h】

An 8-b ADC with over-Nyquist input at 300-Ms/s conversion rate

机译：一个具有300-Ms / s转换速率的过奈奎斯特输入的8-b ADC

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

An 8-b flash analog-digital (A/D) converter (ADC) LSI for high-speed data acquisition systems such as digital oscilloscopes and wave digitizers is described. This converter can convert analog input signals over the Nyquist frequency (up to 200 MHz) at a conversion rate of 300 megasamples per second (Ms/s) without glitch errors. In addition, it can be operated at up to 440 Ms/s when input frequency is as low as 100 kHz. This ADC is fabricated by a 2.5- mu m, 10-GHz f/sub T/, Si bipolar technology called the advanced sidewall base contact structure (advanced SICOS) technology. For high-performance glitch error suppression, an inhibitory circuit and a comparator design with an inner clock buffer are developed. Both techniques require few hardware additions.

机译：描述了一种用于高速数据采集系统（如数字示波器和波数字化仪）的8-b闪存模数（A / D）转换器（ADC）LSI。该转换器可以在奈奎斯特频率（最高200 MHz）上以每秒300兆样本（Ms / s）的转换速率转换模拟输入信号，而不会出现毛刺错误。此外，当输入频率低至100 kHz时，它可以高达440 Ms / s的速度运行。该ADC是通过2.5微米，10 GHz f / sub T / Si双极技术制造的，这种技术称为高级侧壁基极接触结构（高级SICOS）技术。为了实现高性能的毛刺误差抑制，开发了带有内部时钟缓冲器的抑制电路和比较器设计。两种技术都需要很少的硬件添加。

著录项

来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1991年第9期|P.1302-1308|共7页
作者
Nejime Y.; Hotta M.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A 24–72-GS/s 8-b Time-Interleaved SAR ADC With 2.0–3.3-pJ/Conversion and >30 dB SNDR at Nyquist in 14-nm CMOS FinFET [J] . Lukas Kull, Danny Luu, Christian Menolfi, Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2018,第12期

机译：14-nm CMOS FinFET中的奈奎斯特（Nyquist）的24-72-GS / s 8-b时间交错SAR ADC具有2.0-3.3pJ /转换和> 30 dB SNDR
2. An 8.38 fJ/conversion-step 0.6 V 8-b 4.35 MS/s asynchronous SAR ADC in 65 nm CMOS [J] . Guanzhong Huang, Pingfen Lin Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2012,第1期

机译：65 nm CMOS中的8.38 fJ /转换步长0.6 V 8-b 4.35 MS / s异步SAR ADC
3. An 8.38 fJ/conversion-step 0.6 V 8-b 4.35 MS/s asynchronous SAR ADC in 65 nm CMOS [J] . Guanzhong Huang, Pingfen Lin Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2012,第1期

机译：65 nm CMOS中的8.38 fJ /转换步长0.6 V 8-b 4.35 MS / s异步SAR ADC
4. An 8b ADC with over-Nyquist input at 300 Msps conversion rate [C] . Nejime, Y., Hotta, . 1990

机译：8b ADC，具有超过300 nsps的转换速率的奈奎斯特输入
5. A switched opamp comparator to improve the conversion rate of low-power low-voltage successive approximation ADCs. [D] . Vega de la Cruz, Carlos A. 2006

机译：开关运算放大器比较器，用于改善低功耗低压逐次逼近型ADC的转换率。
6. Determination of Cellular Processing Rates for a Trastuzumab-Maytansinoid Antibody-Drug Conjugate (ADC) Highlights Key Parameters for ADC Design [O] . Katie F. Maass, Chethana Kulkarni, Alison M. Betts, 2016

机译：曲妥珠单抗-美登木素生物碱抗体-药物缀合物（ADC）的细胞加工速率测定突出了ADC设计的关键参数
7. A PFM-based MWIR DROIC employing off-pixel fine conversion of photocharge to digital using integrated column ADCs [O] . S. Abbasi, A. Galioglu, A. Shafique, 2017

机译：基于PFM的MWIR DROCE使用集成列ADC的PHEALECSEL Photo Parkge的离子电压转换为数字

An 8-b ADC with over-Nyquist input at 300-Ms/s conversion rate

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅