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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Improvement of soft-error rate in MOS SRAMs
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Improvement of soft-error rate in MOS SRAMs

机译：改善MOS SRAM中的软错误率

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Two techniques which reduce the alpha -particle-induced soft-error rate (SER) in MOS static RAMs (SRAMs) are described. The mechanism of the soft error is the high-resistive load memory cell is analyzed. It is found that the dependence of SER on the cycle time is caused by the potential drop in the high storage node, which is produced by the threshold current through the driver and access transistors in the memory cell. Improvement methods to suppress the subthreshold current are presented. One method utilizes high-threshold-voltage transistors in the memory cell. The other sets the selected word-line level lower than the supply voltage. Using these methods, the high storage node potential is kept at the supply voltage in spite of the small conductance of the load resistor. The effect is confirmed in 256 kbit CMOS SRAMs. The dependence of SER on the cycle time becomes negligible, and SER is improved by two orders of magnitude.
机译：描述了两种降低MOS静态RAM（SRAM）中的α粒子引起的软错误率（SER）的技术。软错误的机理是对高阻负载存储单元进行了分析。发现SER对周期时间的依赖性是由高存储节点中的电势下降引起的，该电势下降是由通过存储单元中的驱动器和访问晶体管的阈值电流产生的。提出了抑制亚阈值电流的改进方法。一种方法是利用存储单元中的高阈值电压晶体管。另一个将所选字线电平设置为低于电源电压。使用这些方法，尽管负载电阻的电导很小，但高存储节点电势仍保持在电源电压上。在256 kbit CMOS SRAM中证实了这种效果。 SER对循环时间的依赖性可以忽略，并且SER改善了两个数量级。

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