1.3- mu m CMOS/bipolar standard cell library for VLSI computers

Hotta T.; Kurita K.

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1.3- mu m CMOS/bipolar standard cell library for VLSI computers

机译：适用于VLSI计算机的1.3微米CMOS /双极标准单元库

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The CMOS/bipolar standard cell library has been enhanced from 2 to 1.3 mu m for application to VLSI computers, such as 32-bit supermini- and microcomputers. This library has macrocells such as a 256-kb/8.4-ns ROM, 32-bit/4.5-ns carry propagation circuits for a 32-bit ALU, 4-kbyte/17-ns cache memory including an address translation function, and a 64-bit/37-ns multiplier. High integration density is obtained by using CMOS-based circuits and fast operation is achieved by using CMOS/bipolar sense circuits and drivers. In the cache memory, a functional sense amplifier, in which a conventional sense amplifier and a comparator are merged, is used. How to combine CMOS and bipolar devices in the macrocells along with application of the library to the VLSI computers is discussed.

机译：CMOS /双极标准单元库已从2微米增加到1.3微米，以应用于VLSI计算机，例如32位超小型和微型计算机。该库具有宏单元，例如256-kb / 8.4-ns ROM，用于32位ALU的32位/4.5-ns承载传播电路，包括地址转换功能的4 KB / 17-ns高速缓存，以及64位/ 37 ns乘法器。通过使用基于CMOS的电路可以获得高集成度，而通过使用CMOS /双极性检测电路和驱动器可以实现快速运行。在高速缓冲存储器中，使用了功能感测放大器，其中常规感测放大器和比较器被合并。讨论了如何在宏单元中组合CMOS和双极器件，以及如何将该库应用于VLSI计算机。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1988年第2期|P.500-506|共7页
作者
Hotta T.; Kurita K.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
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