Analytical modeling of the CMOS-like a-Si:H TFT inverter circuit

Chung K.Y.; Neudeck G.W.

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Analytical modeling of the CMOS-like a-Si:H TFT inverter circuit

机译：CMOS类a-Si：H TFT反相器电路的分析模型

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The transfer characteristics of a CMOS-like hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT) inverter circuit are analyzed. Accurate analytical expressions for the sheet conductance of the ambipolar a-Si:H TFT are simplified and applied to the CMOS-like TFT inverter circuit. The inverter circuit is composed of only one type of ambipolar a-Si:H TFT that is used for both the driver and load transistors. The CMOS-like inverter circuit has a very high small-signal gain compared to other types of TFT inverter circuits. An analytically calculated voltage transfer curve is almost identical to that obtained by the graphical method and shows very close agreement with the measured transfer curve.

机译：分析了类似CMOS的氢化非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT）反相器电路的传输特性。简化了双极性a-Si：H TFT的薄层电导率的精确分析表达式，并将其应用于类似CMOS的TFT反相器电路。反相器电路仅由一种用于驱动晶体管和负载晶体管的双极性a-Si：H TFT组成。与其他类型的TFT反相器电路相比，类CMOS反相器电路具有非常高的小信号增益。解析计算出的电压传递曲线与通过图形方法获得的电压传递曲线几乎相同，并且显示出与测得的传递曲线非常接近。

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来源
《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1988年第2期|P.566-572|共7页
作者
Chung K.Y.; Neudeck G.W.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般性问题;基本电子电路;
关键词

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